什么叫离子氮化_什么叫离子氮化性能

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江化微申请硫掺杂氮化碳纳米管的合成方法及氮化碳纳米管的应用专利...江阴江化微电子材料股份有限公司申请一项名为“硫掺杂氮化碳纳米管的合成方法及氮化碳纳米管的应用“,公开号CN117446760A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示,本发明公开了一种硫掺杂氮化碳纳米管的合成方法,包括以下步骤:S1,将三聚氰胺和硫脲加入到去离子水中混合;S2...

∩▂∩ 晶合集成申请浅沟槽隔离结构、半导体结构及制备方法专利,修正阈值...本发明利用现有技术中制备阱区时的离子注入设备,在制备浅沟槽隔离结构过程中的台阶调整之后,注入一定浓度的B离子到AA corner,之后移除垫氮化层,在半导体衬底上得到若干浅沟槽隔离结构。通过若干浅沟槽隔离结构将半导体衬底分隔成若干N型或者P型有源区,根据设计对有源区进...

旭光电子:氮化铝材料项目取得显著进展,年化产能达240吨,产品广泛...氮化铝基板及HTCC年化产能已达300余万片,并在下游应用端的三十余家企业进行了验证及实现批量供货。氮化铝结构件一期项目设计产能已达产,产品已通过国内部分客户认证及广泛应用于半导体产业的光刻工艺、刻蚀工艺、薄膜工艺、离子注入等工艺中。氮化铝是国内外公认的第三...

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