npn是什么管_npn是什么管

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⊙＾⊙ ...上避免了寄生 NPN 结构的开启导致的雪崩耐量降低,提高了抗浪涌能力且此二极管结构采用了逆向的浓度掺杂分布,形成两个间隔的 P+区以弱化轻掺杂 P 型区的电场。本发明改善了超结 MOSFET 二极管导通状态下的注入效率,减少了少子注入,反向回复时间和反向回复电荷都得到有效降低;一定程度上避免了寄生 NPN 结构的开启导致的雪崩耐量降低,提高...

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⊙▂⊙ 成都华微取得负相输出电压高电源抑制比的线性稳压器专利,在低频和...本发明包括下述部分第一NPN管,其基极和集电极接地,发射极接第一输入端;第二NPN管组,由M个NPN管并联构成,其中每个NPN管的基极和集电极接地,发射极接参考点;第三NPN管组,由M个NPN管并联构成,其中每个NPN管的基极和集电极接地,发射极通过第三电阻接第二输入端;误差放大...

雷特科技取得CN114362547B专利,该专利技术可降低功耗且保障稳定性第一NPN三极管、第一PNP三极管、第二PNP三极管和第二NPN三极管,第一NPN三极管的发射极接地,第一NPN三极管的集电极与第一PNP三极管的基极电连接,第一PNP三极管的发射极和基极均与继电器开关的第一电磁端电连接,继电器开关的第二电磁端与第一电压端电连接,第二PN...

∪＾∪ 三江电子取得限流保护电路及装置专利,能有效起到保护作用金融界2024年1月29日消息,据国家知识产权局公告,深圳市高新投三江电子股份有限公司取得一项名为“一种限流保护电路及装置“,授权公告号CN220401419U,申请日期为2023年8月。专利摘要显示,本实用新型涉及限流保护电路及装置,包括NPN三极管,NPN三极管的C极电连接用电设...

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英迪迈取得高效节能型P+N沟道驱动电路专利,实现高效节能NPN型三极管Q12、电阻R22、电阻R16、NPN型三极管Q5、PNP型三极管Q8、二极管D4、电阻R27、电阻R13、电容C6、P沟道MOS管U3;所述下桥电路包括电阻R43、电阻R44、NPN型三极管Q18、电阻R41、电阻R37、NPN型三极管Q16、PNP型三极管Q17、电阻R38、电阻R3...

智微智能取得出入口控制终端防误控电路专利,消除自动挡车器开合的...NPN型三极管、继电器、VCC端口、GND端口、GPIO端口,延时电路单元的两端对应与VCC端口、MOS管的栅极G连接,MOS管的源级S、MOS管的漏极D分别与GND端口、NPN型三极管的发射极E连接,NPN型三极管的基极B与GPIO端口连接,继电器的两端对应与NPN型三极管的集电...

智微智能获得实用新型专利授权:“一种出入口控制终端防误控电路”NPN型三极管、继电器、VCC端口、GND端口、GPIO端口,延时电路单元的两端对应与VCC端口、MOS管的栅极G连接,MOS管的源级S、MOS管的漏极D分别与GND端口、NPN型三极管的发射极E连接,NPN型三极管的基极B与GPIO端口连接,继电器的两端对应与NPN型三极管的集电...

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圣邦股份获得发明专利授权:“一种降低负压和高温漏电对带隙基准...所述第一双极型晶体管由所述芯片中一个NPN结构构成;所述第二双极型晶体管由所述芯片中多个NPN结构构成;所述多个冗余管中的每个由所述芯片中的一个NPN结构构成,且构成所述冗余管的所述NPN结构的数量为所述第二双极型晶体管中单位个数与第一双极型晶体管中单位个数之...

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